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评“二控三型TSC快速重复投切晶闸管闭锁问题研究”

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发表于 2013-11-13 15:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
“二控三型TSC快速重复投切晶闸管闭锁问题研究”一文,严重地忽略了并联电容补偿装置中必须串联电感这一关建参数,因此得出的结论没有适用意义。与现有的“三控三”方式相比,存在着可控硅和电容的耐压要求高,可控硅的热损耗大,电容器利用率低,在后关断相还要产生很大地谐波电流,没有达到零过渡要求等缺点。 评“二控三型TSC快速重复投切晶闸管闭锁问题研究”.pdf (167.65 KB, 下载次数: 6)
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 楼主| 发表于 2013-11-20 13:29 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2013-11-27 10:53 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2013-12-12 11:10 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2013-12-28 11:43 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2014-1-17 12:56 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2014-2-14 11:01 | 显示全部楼层

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新浪微博达人勋

发表于 2014-2-26 14:39 | 显示全部楼层
非常好!!!
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 楼主| 发表于 2014-3-7 13:18 | 显示全部楼层

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 楼主| 发表于 2014-4-9 14:09 | 显示全部楼层

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